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高斯计选钻杆扭矩试验机型指南

发布时间:2017-05-31 16:01:25 分类:新闻动态 来源: 点击:

高斯计选钻杆扭矩试验机型指南 高斯计选型指水冻水融试验机南 根据霍尔效应原理制成的特斯拉计(高斯计)在丈量磁场中,有着广泛的利用。这类仪器是由作为传感器的霍尔探头及仪表整机两部份组成。其中探头内霍尔元件的尺寸、性能与封装结构对磁场丈量的准确度起着关键的作用。霍尔效应特斯拉计对均匀、恒定磁场丈量的准确度1般在5%—0.5%,高精度的丈量准确度可以到达0.05%。但对磁体表面的非均匀磁场的丈量就谈不上准确度了。常常是不同的仪表,或同型号的仪表,不同的探头,或同1支探头的不同侧面。去丈量同1磁体表面,同1位置(应当说看上去是同1位置)的磁场时,显示的结果大不1样,误差可以超过20%,乃至50%。造成上述差别的缘由有两点:其1,不同探头内霍尔元件封装的位置不同,或元件不在探头两侧的中部。这些探头在均匀磁场中,不会因位置上的改变而感遭到磁场的改变,丈量数据也不会因位置

根据霍尔效应原理制成的特斯拉计(高斯计)在丈量磁场中,有着广泛的利用。这类仪器是由作为传感器的霍尔探头及仪表整机两部份组成。其中探头内霍尔元件的尺寸、性能与封装结构对磁场丈量的准确度起着关键的作用。

霍尔效应特斯拉计对均匀、恒定磁场丈量的准确度1般在5%—0.5%,高精度的丈量准确度可以到达0.05%。但对磁体表面的非均匀磁场的丈量就谈不上准确度了。常常是不同的仪表,或同型号的仪表,不同的探头,或同1支探头的不同侧面。去丈量同1磁体表面,同1位置(应当说看上去是同1位置)的磁场时,显示的结果大不1样,误电脑扭转力试验机差可以超过20%,乃至50%。

造成上述差别的缘由有两点:其1,不同探头内霍尔元件封装的位置不同,或元件不在探头两侧的中部。这些探头在均匀磁场中,不会因位置上的改变而感遭到磁场的改变,丈量数据也不会因位置的不同而带来误差。当用不同的探头去测磁体表面发散的、不均匀的磁场时,虽然表面看上去是放到了同1位置,而内部霍尔元件感遭到的其实不是同1位置的磁场。感遭到的场值不同,丈量结果固然不1样。1般,对径向探头,厚度越小,内部霍尔元件离表面越近,丈量表面磁场显示读数越大,层间剥离强度试验机采取超薄探头去测表面磁场时的读数可以高于常规探头20%以上(被测磁体尺寸越小,磁体表面曲率越大,表面磁场散布越不均匀,丈量数据差别越大),但是不管多薄的探头,其内部对磁场敏感的部份与磁体表面总有1个间距,不可能为零距离。所以说,不可能测到真实的表面磁场。只能说,使用的探头越薄,读数越能反应出磁体的表面磁场。

缘由之2是:不同型号的软管脉冲试验机霍尔探头内,所封装的霍尔元件敏感区尺寸不同。初期的体形霍尔元件,如锗、硅霍尔元件,尺寸1般为4×2㎜2也有6×3㎜2、8×4㎜2、最小为1.5×1.5㎜2,有效的敏感区基本上是元件本身的尺寸,面积大。若用这类霍尔元件来对磁力线发散的小磁体、磁体边角部份或多极充磁的电梯电缆曲挠试验机表磁进行丈量。仅能tnss500弹簧扭转试验机反应出通过该元件表面的磁感应强度的平均值。此值一定小于该区域的最大值。如果改用敏感区的小霍尔元件,如砷化镓霍尔元件,其敏感区的有效面积约为0.1×0.1~0.2×0.2㎜2远远小于体形元件的面积。这类元件就更能反应出表面磁场的场散布,所测到的最大值也更接近该区域的最大磁感应强度实际值。

由前面的分析可以看出,表面磁场的实际值(即真实值)用霍尔效应法是根本不可能测到的。也就是说不可能找到、建立1种统1的拉压力疲劳试验机,共同的表面磁场的量值标准。只能去谋求测出更加接近表面磁场实际值的方法。

对用霍尔效应法丈量磁体表面磁场的探讨--高斯计如何选择探头

1、永磁丈量仪器

永磁丈量仪器是用于各种永磁磁性材料磁性能参数丈量的专用仪器。我们通经常使用到的仪器有:高斯计(特斯拉计)、磁通计、 B-H 磁滞回线仪等。

1、高斯计(特斯拉计):用于丈量各种永磁体表面磁场强度及气隙磁场强度。

2、磁通计:用于丈量永磁体的感应磁通量。

3、B-H磁滞回线仪:用于丈量永磁材料 Br 、 Hcb 、 Hcj 、 BHmax 等磁性能参数,可自动绘制磁滞回线和退磁曲线。

2、高斯计(特斯拉计)

1、高斯计(特斯拉计)的种类分类:指针式、数字式、便携式。

2、高斯计(特斯拉计)的利用

(a)永磁体的表面磁场丈量:采取高斯计(特斯拉计)丈量永磁产品表面磁场强度,主要是对永磁产品的质量及充磁后磁性能1致性的评估;通常丈量中磁体表面中心点的磁场强度进行丈量,通过对标准样品数据进行比较从而判断产品是不是合格,同时也能够保证材料的1致性。

(b)气隙磁场的丈量:采取高斯计(特斯拉计)丈量气磁场的利用比较广泛,在科研、电子制造、机械等领域均有用到垂直水平振动试验机。目前利用比较典型的行业主要有机电和电声两大行业。

(c)余磁丈量:如工件退磁后的退磁效果检测。

(d)漏磁丈量:如喇叭漏磁丈量。

(e)环境磁场丈量

3、高斯计(特斯拉计)选型:高斯计(特斯拉计)的选型首先应从丈量对象入手,斟酌以下几个方面:

a、磁场类型:磁场分为直流磁场和交换磁场两种,永磁材料磁场强度应选用直流高斯计丈量;

b、仪器量程:明确被测对象的大概磁场范围,选择仪器的量程范围应大于被丈量磁场;

c、丈量精确度:指仪器的分辨率,如分辨率是 1Gs 或 0.1Gs 等;

d、探头选择:通常仪器生产厂家的测摸索头都有多种不同规格,以满足各种不同测试要求,丈量表面磁场强度通常不需要斟酌探头规格。

①气隙磁场丈量:应访斟酌探头的尺寸大小,如探头车辙试验机尺寸大于被测气隙,则没法进入到被测的气隙中,从而没法使用;

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②探头方向选择:探头方向分横向和轴向两种,用户在探头选择时应根据被测对象斟酌选择适应的探头;

③探头连接线:仪器生产厂家探头线缆的长度通常是固定的,如有特插头插座负载寿命试验机殊丈量要扭矩轴力联合试验机求,需延长或缩短探头线时,应向厂家提出纸板抗压试验机。 高斯计

e、供电方式:台式高斯计通常采取交换 220V 供电,便携式高斯计采取高刚度岩石试验机电池供电。

f、功能选择

①常规功能:极性判断、最大值锁定等;

②便携性:如需户外操作或现场丈量,可选择便携性耐洗刷试验机较好的掌上高斯计(便携式),此类仪器体积小,重量轻,采取电池供电;

③生产线快速丈量:仪用具有上、下限设置及报警功能;

④交换磁场丈量:用于丈量低频( 1 — 400Hz )交变磁场强度的大小;

3、磁通计

磁通计1般是直接丈量探头线圈的磁感应通量,使用较多的是配以霍姆赫兹线圈,此种方法多是与标准样品进行比较,进而进行产品的合格性判定。

磁通计使用之前,1定要依照要求进行预热,使用中要调剂好积分漂移,使漂移量在规定的范围以内。每复合式盐雾试验机次丈量之前要重定清零,释放掉积分电容的残留电荷或漂移积分电荷。

当磁体的磁路闭合时,可使用磁通计丈量、计算剩磁,具体计算方法是: Br=Φ/N/S式中:Φ-- 磁通量 ; N-- 线圈匝数 ;S-- 磁体横截面积。

利用磁通计进行产品的合格性检验时,被测样品和线圈的相对位置1定要与 " 标准样品的和线圈的相对位置 " 相同。如果产品的性能范围有严格的要求,应保存上限性能的产品、下限性能的产品,以进行检验定标、检验。

4、永磁 B- H 磁滞回线丈量仪

永磁 B-H微电脑边压环压强度试验机 磁滞回线免轮胎轮胎漏气试验机丈量仪可丈量永磁材料的磁滞回线和退磁曲线,准确丈量剩磁 Br 、矫顽力 HcB 、内禀矫顽力 HcJ 和最大能积 (BH)max 等磁特性参数。

随着计算机系统集成技术的迅速发展与利用,基于计算机操作平台的磁丈量系统也应运而生。

5、充磁

在磁体长度接近充磁线圈的情况下充磁时,磁体的垂直中心位置应与充磁线圈的垂直中心位置重合,这样才能保证磁体两端磁场强度相等,保证充磁的对称性减小由於充磁方法的缘由造成磁体两端表面磁场强度相等。

理论证明,充磁线圈两端磁场强度是线圈的中心点的磁场强度是的 1/2 ,在磁体接近充磁线圈的长度时,对於 H 、 SH 以上系列的产品有可能没法饱和充磁,当磁场强度不是足够大时,即便时 M 、 N 系列的产品也没法饱和充磁。在1般情况下,充磁磁体的长度最好小於充磁线圈的 2/3 。

6、磁体易磁化方向的判定

对於正方形方块、垂直轴向取向的圆柱都存在取向(易磁化方向)的辨认问题,可以采取已充磁的产品或借用仪器进行辨认,具体方法以下:

(1)、用已充磁的产品进行辨认:对於正方形方块,由於材料的各向异性,磁筹是按取向方向排列,因此取向方向易於磁化,磁化以后异极相吸吸力较大,而非取向方向的吸力则小,以次来辨认判定取向方向;检测用的磁铁应稍大1些,过磁体小时吸力大小差异不容易辨别;对於垂直轴向取向的圆柱,1般只能用已充磁的磁体进行检测:用磁铁吸圆柱表面,将圆柱吸起,与地面垂直的方向即为取向充磁方向;

(2)、利用磁通计进行辨认:可以在正方形材料上吸1块磁铁,磁铁的方向与磁通线圈垂直,磁通值相对较大的1面为取向面,与此面垂直的方向为取向方向。

高斯(G),非国际通用的磁感应强度单位。为记念德国物理学家和数学家高斯而命名。

单拉换算:1T(特斯拉)=1000MT(毫特斯拉)=10000GS(高斯)

1MT=10GS

甚么是霍尔效应

半导体薄片置于优肯拉力试验机磁感应强度为 B 的磁场中,磁场方向垂直于薄片,如图所示。当有电流 I 流过薄片时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动试金拉力试验机势 EH ,这类现象称为霍尔效应,该电动势称为霍尔电势,上述半导体薄片称为霍尔元件。

原理简述以下:鼓励电流 I 从 a 、 b 端流入,磁场 B 由正上方作用于薄片,这时候电子 e 的运动方向与电流方向相反,将遭到洛仑兹力 FL 的作用,向内侧偏移,该侧构成电子的堆积,从而在薄片的 c 、 d 方向产生电场 E 。电子积累得越多, FE 也越大,在半导体薄片 c 、 d 方向金属摩擦系数试验机的端面之间建立的电动势 EH 就是霍尔电势。

由实验可知,流入鼓励电流真个电流 I 越大、作用在薄片上的磁场强度 B 越强,霍尔电势也就越高。磁场方向相反,霍尔电势的方向也随之改变,因此霍尔传感器能用于丈量静态磁场或交变磁场。

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